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中国科学院集成电路创新研究院(筹)2018年“集成电路先导技术—先进光刻”研讨会第二次会议举办
2018-10-22 | 编辑:先导中心 崔冬萌 | 【 【打印】【关闭】
 

  10月12日,由中国科学院集成电路创新研究院(筹)工艺总体部策划并组织的“集成电路先导技术系列研讨会”第二次会议在微电子所举办。微电子所党委副书记(主持工作)、副所长、集成电路创新研究院筹建组副组长戴博伟出席并致辞。所长助理、先导中心主任王文武,北京大学刘晓彦教授,复旦大学微电子学院解玉凤副教授,睿初科技(深圳)有限公司肖艳军产品经理,明导(上海)电子科技有限公司技术主管杜春山,新思科技(上海)有限公司经理孟晓东,微电子所韦亚一、谢常青、粟雅娟、陈睿、张利斌、苏晓菁等专家和技术骨干参与研讨。 

  韦亚一研究员主持研讨会。他对到访的学者和技术专家表示热烈欢迎,希望大家畅所欲言,加强合作与交流。粟雅娟副研究员介绍了会议背景,简要介绍了中科院微电子所的发展历程、组织架构、人才培养、科研方向和研究成果,以及中国科学院集成电路创新研究院(筹)的筹建思路、未来规划和任务使命,介绍了在设计与工艺协同优化研发方向的未来研究趋势和研讨会主题。陈睿副研究员介绍了微电子所期刊JoMM,期刊致力于出版先进微电子制造技术,以高质量的SCI期刊为目标,涵盖了从早期学术理论、实验到工业化制造应用半中导体制造科学与技术的研究。 

  刘晓彦以7纳米或以下节点纳米线与纳米片结构器件为例,介绍了基于TCAD的器件/电路协同优化设计平台、自热效应及其耦合可靠性驱动下的集成电路特性评估方法等方面的研究进展。解玉凤介绍了探索基于人工智能的方法来进行半导体制造良率分析、良率预测的相关方法和关键难点,以及人工智能方法在新器件研发过程中的加速效果。肖艳军介绍了先进技术节点面临的挑战,以及睿初科技的解决方案。杜春山讲解了如何在设计阶段,通过建立适当的模型和方法,解决和避免制造过程中潜在的影响良率的设计问题,介绍了在良率诊断和热点定位阶段涉及的先进DFT技术。孟晓东介绍了目前业内唯一完整的全流程DTCO解决方案,以及在对先进节点开发过程的各个环节中精确仿真的应用示例。 

  与会人员还针对创新研究院未来发展,特别是先进节点下的设计与工艺协同优化技术方向进行了深度技术探讨和交流,在未来研发、院校合作、企业产学研合作、基础研究与应用研究、前瞻性与基础性、研究与平台等方面畅所欲言,对创新研究院的发展提出了非常有价值的意见建议。

 

参会嘉宾合影

韦亚一欢迎致辞、粟雅娟主持会议

刘晓彦(左1)、解玉凤(右1)、肖艳军(左2)、杜春山(右2)、孟晓东(左3)作报告以及会议讨论

 

 

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