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中科院神经科学所王佐仁研究员来微电子所访问交流
2018-09-14 | 编辑:微电子重点实验室 张康玮 | 【 【打印】【关闭】
 

  9月11日,中科院神经科学所王佐仁研究员来微电子所进行学术交流,并作了题为《忆阻器神经网络与脑模拟》的学术报告。微电子所微电子重点实验室副主任刘琦研究员主持交流会。来自全所各部门的科研人员、研究生近40人参加了会议。  

  忆阻器是一种新型的电子元件,其阻值伴随流经它的电荷量变化而变化,这一独特学性使其成为模拟神经突触可塑性的理想元件。自2008年起,忆阻器受到极大的关注并迅速成为研究热点。应用忆阻器的简单电路即可模拟神经突触可塑性。在此基础上,以忆阻器交叉阵列为代表的神经网络不仅可实现卷积神经网络的卷积及监督学习、神经信息的稀疏编码和解码,还可实现无监督的自主学习。王佐仁详细介绍了基于脑科学与微电子学的大规模忆阻器神经网络的设计及研究以及异步的脉冲神经网络,阐述了大脑工作原理,模拟了一些重要的脑功能。与会人员就忆阻器神经网络与脑模拟等研究同王佐仁进行了学术讨论。  

  王佐仁现任中科院神经科学所高级研究员,神经科学国家重点实验室副主任,主要从事神经科学与类脑智能的交叉研究。

 

交流会现场

 

 

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