收藏本站  |  English  |  联系我们  |  中国科学院
  首页 所况介绍  
新闻动态
 
 
 
 
 
 
 
 
 
现在位置:首页 > 新闻动态 > 合作交流
 

香港理工大学Yang Chai博士来微电子所访问交流
2017-08-31 | 编辑:微电子重点实验室 张康玮 | 【 【打印】【关闭】
 

  8月29日,香港理工大学Yang Chai博士来微电子所进行学术交流,并作了题为“Two-Dimensional Layered Materials for Nanoelectronics- Interconnect and Transistor”的学术报告。微电子所微电子重点实验室吕杭炳研究员主持交流会。来自全所各部门的40余名科研人员、研究生参加了交流会。 

  Chai博士在报告中详细阐述了基于二维层状材料的互连和晶体管,指出采用石墨烯层作为Cu互联的屏蔽层,可防止铜离子的迁移,抑制电化学反应,减少铜互联与SiO2接口处的铜离子密度。他详细介绍了基于二维材料PtSe2的电子器件的特性,基于PtSe2的场效应晶体管在室温中有高的迁移率(~210 cm2V-1s-1),块状PtSe2器件具有金属般的电导率(6.64×105 S / m),通过调节PtSe2的禁带宽度可以使其对近红外光快速响应。报告结束后,与会人员就二维材料的制备与应用等领域同Chai博士进行了热烈的学术讨论。 

  Yang Chai博士现任香港理工大学应用物理学院助理教授,IEEE电子器件学会杰出讲师,2014年获香港研究资助局颁发的“早期职业奖”,研究领域为低维材料和电子器件。

 

会议现场

 

附件下载:
    中国科学院微电子研究所版权所有 邮编:100029
单位地址:北京市朝阳区北土城西路3号,电子邮件:webadmin@ime.ac.cn
京公网安备110402500036号