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  • 姓名: 陈晓娟
  • 性别: 女
  • 职称: 副研究员
  • 职务: 
  • 学历: 硕士
  • 电话: 
  • 传真: 
  • 电子邮件: chenxiaojuan@ime.ac.cn
  • 所属部门: 高频高压器件与集成研发中心
  • 通讯地址: 北京市朝阳区北土城西路3号

    简  历:

  • 教育背景 

    1998-2002 西北大学 电子科学系 工学学士 

    2002-2005 中国科学院微电子研究所 微电子学与固体电子学 工学硕士 

    工作简历 

    2005.07至今,在中国科学院微电子研究所工作,现为副研究员、硕士生导师,天津市滨海新区微电子研究院产业化促进中心主任。 

    1. 2005~2009年, 中国科学院微电子研究所微电子微波功率电路与器件研究室工作,任GaN功率器件课题组组长、助理研究员 

    2. 2009~至今, 中国科学院微电子研究所高频高压中心工作、副研究员 

    3. 2019年起,任天津市滨海新区微电子研究院产业化促进中心主任。 

    社会任职:

    研究方向:

  • 宽禁带半导体器件模型、工艺、电路设计与测试技术

    承担科研项目情况:

  • 1. 高压GaN功率器件及可靠性,国家科技重大专项,课题骨干 

    2. GaN功率器件及MMIC 国家科技重大专项课题骨干 

    3. GaN功率器件及MMIC,国家科技重大专项,课题技术负责人 

    4. 高频段5G基站用功率放大器试验样片及模块研发 国家科技重大专项 课题骨干 

    代表论著:

  • 1.C波段0.75mm AlGaN/GaN功率器件  半导体学报 2005 

    2.基于FC技术的AlGaN/GaN HEMT  半导体学报 2005 

    3.基于GaAs工艺的超宽带混合集成功率放大器 微电子学与计算机  2018 

    4.302600 MHz 超宽带GaN 功率放大器的设计与实现 半导体器件 2015 

    5.A 24W Ku band GaN based power amplifier with 9.1dB linear gain  Microelectronics Journal    2012 

    6.A Ka-band 22 dBm GaN amplifier MMIC Journal of Semiconductors   2011 

      

    专利申请:

  • 1.提高金属-介质-金属结构电容性能的方法(第一作者) 

    2.一种针对波导--探针--波导形式的双层腔体结构(第一作者) 

    3.一种适用于毫米波功率合成及分配的波导结构(第一作者) 

    4.应用于微带—波导转换的阶梯型瘠波导结构(第一作者) 

    5.适用于波导的功率合成及分配的波导结构(第一作者) 

    6.一种波导功率分配器(第一作者) 

    7.一种无源微带电路板背金方法(第一作者) 

    获奖及荣誉: