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  • 姓名: 毕津顺
  • 性别: 男
  • 职称: 研究员
  • 职务: 
  • 学历: 博士
  • 电话: 010-82995940
  • 传真: 
  • 电子邮件: bijinshun@ime.ac.cn
  • 所属部门: 微电子器件与集成技术重点实验室
  • 通讯地址: 北京市朝阳区北土城西路3号

    简  历:

  • 教育背景 

    1999.9-2003.7,南开大学信息与科学技术学院,学士学位; 

    2003.9-2008.7,中国科学院研究生院,博士学位; 

    2012.5-2013.8,美国范德堡大学,访问学者; 

    2017.9-2017.11,法国应用科学院,访问学者。

    工作简历

    2008.7-至今,中国科学院微电子研究所,历任助理研究员,副研究员和研究员。 

    社会任职:

  • 1.    北京交通大学兼职教授; 

    2.    加拿大萨斯喀彻温大学兼职教授; 

    3.    南开大学兼职教授; 

    4.    哈尔滨工业大学兼职教授; 

    5.    电子科技大学兼职教授; 

    6.    成都工业学院兼职教授; 

    7.    大科学工程“空间环境地面模拟装置”用户委员会秘书长; 

    8.    IEEE Member 

    9.    中国科学院青年创新促进会优秀会员; 

    10.   中国核学会辐射物理分会理事; 

     

     

    研究方向:

  • 半导体器件和集成电路技术

    承担科研项目情况:

  • 主持独立承担的研究工作: 

      

    1. 国家自然科学基金重点项目,61634008、先进非易失存储器辐照效应和加固技术基础研究、2017/01-2021/12280万元、在研、主持。 

    2. 中国科学院青年创新促进会优秀会员人才项目、2019/01-2021/12180万元、在研、主持。 

    3. RRAM存储器设计技术、2017/01-2018/12150万元、项目已结题、主持。 

    4. 中法蔡元培交流合作项目,SOIDC-DC转换器的数字反馈控制环路、2015/05-2017/05、项目已结题、主持。 

    5. 国家自然基金面上项目:面向空间应用深亚微米SOI 集成器件辐照损伤机理研究”, 项目批准号为61176095,项目起止时间2012-2015年,项目经费77万元,项目已结题。 

    6. 中国科学院科技创新项目,项目经费35万元,项目已结题。 

      

    主要参与全过程的课题: 

      

    1. 国家自然基金面上项目:“SOI射频SOC的集成器件及工艺基础研究,项目已结题,终评为优秀。 

    2. 国家重点基础研究发展计划项目子课题(973):高性能低功耗新型纳米尺度CMOS器件研究,项目已结题。 

    3. 国家自然基金重点项目:地面模拟空间辐射环境下的技术方法及单粒子效应研究2012-2015年,项目已结题。 

    4. 中国科学院微电子研究所所长基金项目:“0.5微米、0.8微米CMOS/SOI器件模型参数提参及单元库建立,项目已结题。 

    5. 国家极大规模集成电路重大专项研究计划项目:“SOI CMOS半导体特种器件的研发 

    6. 中国科学院项目,项目起止时间2011-2015年。 

    7. 国家自然基金创新群体项目:“新型微电子器件集成的基础研究”,2016.01-2018.12,课题经费600万元。 

    8. 基础研究项目,硅基微电子发展战略研究、已结题、参加。 

    9.中国科学院战略性先导科技专项(B类):功能导向的原子制造前沿科学问题、在研、参加。 

    10.中国科学院战略性先导科技专项(B类):存储驱动的计算前沿科学技术、在研、参加。 

    11.广东省重点研发计划:“:高端芯片可靠性与可信任性评价分析关键技术”、在研、参加。 

    12.新型铁电存储器技术项目、2018/09-2020/12590万元、在研、参加。 

    13.基础研究项目、2020/01-2024/122800万、在研、参与。 

    代表论著:

  • 译著和专著: 

    1.   《现代电子系统软错误》,韩郑生,毕津顺,电子工业出版社,2016 

    2.   《甚大规模集成电路和电子系统的地球环境辐射效应》,毕津顺,马瑶,王天琦,电子工业出版社,2019 

    3.   《电子器件的电离辐射效应-从存储器到成像器》,毕津顺,于庆奎,丁李利,李博,电子工业出版社,2020 

      

    SCI期刊论文: 

      

    1.    Guoliang Tian, Jinshun Bi*, Gaobo Xu, Kai Xi, Xueqin Yang, Sandip Majumdar, Huaxiang Yin, Qiuxia Xu, Wenweu Wang, Single-event-transient effects in silicon-on-insulator ferroelectric double-gate vertical tunneling ?eld effect transistors, Science China Information Sciences, 2020(已接收) 

    2.    Linjie Fan, Jinshun Bi*, Yanan Xu, Kai Xi, Yao Ma, Ming Liu, Sandip Majumdar, Cryogenic characterization of 55-nm SONOS charge trapping memory in AC and DC modes, Electronics Letters, 2020(已接收) 

    3.    Jianjian Wang, Jinshun Bi*, Gang Liu, Hua Bai, Kai Xi, Bo Li, Sandip Majumdar, Lanlong Ji, Ming Liu, Science China Information Sciences, 2020(已接收) 

    4.    Zongzhen Li, Jie Liu, Pengfei Zhai, Tianqi Liu, Jinshun Bi, Zhenxing Zhang, Latent reliability degradation of ultrathin amorphous HfO2 dielectric after heavy ion irradiation: the impact of nano-crystallization, IEEE Electron Device Letters, 2019, Vol. 40, No. 10, P. 1634-1637. 

    5.    Zongzhen Li, Tianqi Liu, Jinshun Bi, Huijun, Yao, Zhenxing Zhang, Shengxia Zhang, Jiande Liu, Pengfei Zhai, Jie Liu, Charge Trapping Effect in HfO2-based High-k Gate Dielectric Stacks after Heavy Ion Irradiation: the Role of Oxygen VacancyNuclear Inst. and Methods in Physics Research, B2019, Vol. 459, P. 143-147. 

    6.    Shuang Zhao, Cong Shi, Hongyang Hu, Zhengping Li, Gang Xiao, Qiaochun Yang, Peng Sun, Linyang Cheng, Wencheng Niu, Jinshun Bi*, Zhaoyue, ISFET and Dex-AgNPs based portable sensor for reusable and real-time determinations of concanavalin A and glucose on smartphone, Biosensors and Bioelectronics, 2019, Vol. 151, P. 111962. 

    7.    曹杨,习凯,徐彦楠,李梅,李博,毕津顺*,刘明,55 nm-氧化硅-氮化硅-氧化硅-硅闪存单元的 γ射线和X射线电离总剂量效应研究,物理学报,2019Vol. 68, No. 3, P. 038501 

    8.     Y. N. Xu, J. S. Bi*, K. Xi, and M. Liu,The Effects of γ-ray irradiation on graphene/n-Si Schottky diodes, Applied Physics Express, 2019, Vol. 12, P. 061004 

    9.    Yannan Xu, Jinshun Bi*, Yudong Li, Kai Xia, Linjie Fan, Ming Liu, M. Sandip, The total dose ionizing (TID) effects by X-ray irradiation on graphene/Si Schottky diodes with HfO2 insertion layer, Microelectronics Reliability, 2019, Vol. 100, P. 113355. 

    10.   J. S. Bi, B. Li, K. Xi, L. L. Ji, H. B. Wang, Ming Liu, Total ionization dose and single event effects of a commercial stand-alone 4 Mb resistive random access memories (ReRAM), Microelectronics Reliability, 2019, Vol. 100, P. 113443. 

    11.   S. W. Zheng, J. S. Bi*, K. Xi, J. Liu, M. Liu, A 28 nm Full-margin, High-reliability, and Ultra-low-power Consumption Sense Amplifier for STT-MRAM, Microelectronics Reliability, 2019, Vol. 100, P. 113465. 

    12.    Shurui Cao, Xiaoyu Ke, Siting Ming, Duowei Wang, Tong Li, Bingyan Liu, Yao ma, Yun Li, Zhimei Yang, Min Gong, Mingmin Huang, Jinshun Bi, Yannan Xu, Kai Xi, Gaobo Xu, Sandip Majumdar, Study of γ-ray radiation influence on SiO2/HfO2/Al2O3/HfO2/Al2O3 memory capacitor by C-V and DLTS, Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2019, Vol. 30, No. 12, P. 11079–11085 

    13.   K. Xi,  J. S. Bi*, Y. N. Xu,Y. D. Li, X. Y. Zhang, J. W. Cui and M. Liu, Investigation of X-Ray irradiation effects on graphene nano-disc non-volatile memory, Science China Information Sciences, 2019, Vol. 62, No. 12, P. 222401. 

    14.   K. Xi, J. S. Bi*, Y. Hu, B. Li, J. Liu, Y. N. Xu, and M. Liu, Impact of γ-ray irradiation on graphene nano-disc non-volatile memory, Applied Physics Letters, 2018. 

    15.   Jinshun Bi, Yuan Duan, Kai Xi, Bo Li, Total Ionizing Dose and Single Event Effects of 1Mb HfO2-based Resistive-Random-Access Memory, Microelectronics Reliability, 2018. 

    16.   T. Zhang, B. Allard, J. Bi, The synergetic effects of high temperature gate bias and total ionization dose on 1.2kV SiC devices, Microelectronics Reliability, 2018. 

    17.   X. X. Dai, H. B. Wang, Y. S. Wang, J. S. Bi, B. Li, G. Guo, L. Chen, S. Baeg, A Single Event Upset Tolerant Latch Design, Microelectronics Reliability, 2018. 

    18.   Yannan Xu, Jinshun Bi*, Gaobo Xu, Kai Xi, Bo Li, Haibin Wang, Ming Liu, Total Ionization Dose Effects on Charge Storage Capability of Al2O3/HfO2/Al2O3 (AHA)-based Charge Trapping Memory (CTM) Cell, Chinese Physics Letters, 2018. 

    19.   J. S. Bi, K. Xi, B. Li, H. Wang, L. L. Ji, J. Li, M. Liu, Heavy ion induced upset errors in 90-nm 64 Mb NOR-type Floating-Gate Flash memory, Chinese Physics B, 2018 , Vol. 27, No.9, 098501. 

    20.   W. Lin, Y. Ma, J. Bi, Z. Yang, B. Li, Y. Li, K. Xi, G. Xu, M. Gong and P. Dong, Study of γ-ray irradiation influence on TiN/HfO2/Si MOS capacitor by Deep Level Transient Spectroscopy, Superlattices and Microstructures, 2018. 

    21.   M. Li, J. S. Bi*, Y. N. Xu, B. Li, K. Xi, H. B. Wang, J. Liu, J. Li, L. L. Ji and M. Liu, Total Ionizing Dose (TID) Effects of 55-nm Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon (SONOS) Charge Trapping Memory (CTM) in Pulse and DC Modes, Chinese Physics Letters, 2018, Vol.35, No. 7, 078502. 

    22.   J. S. Bi, Y. N. Xu, G. B. Xu, H. B. Wang, L. Chen and M. Liu, Total Ionization Dose Effects on Charge-Trapping Memory With Al2O3/HfO2/Al2O3 Trilayer Structure, IEEE Transactions on Nuclear Science, 2018, Vol. 65, No. 1, P. 200-205. 

    23.   S. Gu, J. Liu, J. S. Bi, F. Z. Zhao, Z. Z. Gang, K. Xi, K. Peng, Y. J. Zhang, The Impacts of Heavy-Ion Energy on Single Event Upsets in SOI SRAMs, IEEE Transactions on Nuclear Science, 2018, Vol. 65, No. 5, P. 1091-1100.  

    24.   H. B. Wang, A. Sheng, S. Q. Wang, J. S. Bi, L. Chen, L. X. Feng, SEU reduction effectiveness of common centroid layout in differential latch at 130-nm CMOS technology, Microelectronics Reliability, 2017, Vol. 72, P. 39-44. 

    25.   J. L. Guo, G. H. Du, J. S. Bi, W. J. Liu, R. Q. Wu, H. Chen, J. Z. Wei, Y. N. Li, L. N. Sheng, X. J. Liu, S. Y. Ma, Development of single-event-effects analysis system at the IMP microbeam facility , Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 2017, Vol. 404, P. 250-253. 

    26.   Z. Li, J. Zhang, Y. Li, S. Zhao, P. Zhang, Y. Zhang, J. S. Bi, G. Liu, Z. Yue, Carbon dots based photoelectrochemical sensors for ultrasensitive detection of glutathione and its applications in probing of myocardial infarction, Biosensors & Bioelectronics, 2017, Vol. 99, P. 251-258. 

    27.   Y. N. Xu, J. S. Bi*, G. B. Xu, K. Xi, B. Li and M. Liu, Total ionizing dose effects and annealing behaviors of HfO2-based MOS capacitor, Science China Information Sciences, 2017, Vol. 60, P. 120401. 

    28.   H. H. Zhang, J. S. Bi*, H. B. Wang, H. Y. Hu, J. Li, L. L. Ji and M. Liu, Study of total ionizing dose induced read bit errors in magneto-resistive random access memory, Microelectronics Reliability, 2016, Vol. 67, P. 104-110. 

    29.   Yi Ren, Li Chen, Jinshun Bi, An RHBD Bandgap Reference Utilizing Single Event Transient Isolation Technique, IEEE Transactions on Nuclear Science, 2016, Vol. 63, No. 3, P. 1927 – 1933  

    30.   Bingqing Xie, Bo Li, Jinshun Bi, Jianhui Bu, Chi Wu, Binhong Li, Zhengsheng Han, Jiajun Luo, Effect of cryogenic temperature characteristics on 0.18-μm silicon-on-insulator devices, Chinese Physics B, 2016, Vol. 25, No. 7, P. 078501  

    31.   赵星,梅博,毕津顺*,郑中山,高林春,曾传滨,罗家俊,于芳,韩郑生,0.18μm部分耗尽绝缘体上硅互补金属氧化物半导体电路单粒子瞬态特性研究,物理学报,2015Vol. 64, No. 13, P. 136102  

    32.   H. B. Wang, R. Liu, L. Chen, J. S. Bi, M. L. Li, Y. Q. Li, A Novel Built-in Current Sensor for N-WELL SET Detection, Journal of Electronic Testing, 2015, Vol. 31, No. 4, P. 395-401  

    33.   S. Gu, J. Liu, F. Z. Zhao, Z. G. Zhang, J. S. Bi, C. Geng. G. Liu, M. D. Hou, T. Q. Liu, Y. M. Sun, J. Luo, and K. Xi, Influence of Edge Effects on Single Event Upset Susceptibility of SOI SRAM, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, 2015, Vol. 342, P. 286-291  

    34.   H. B. Wang, J. S. Bi, M. L. Li, L. Chen, R. Liu, Y. Q. Li, A. L. He, and G. Guo, An Area Efficient SEU-Tolerant Latch Design, IEEE Transactions on Nuclear Science, 2014, Vol. 61, No. 6, P. 3660 - 3666  

    35.   W. G. Bennet, N. C. Hooten, R. D. Schrimpf, R. A. Reed, M. H. Mendenhall, M. L. Alles, J. Bi, E. X. Zhang, D. Linten, M. Jurzak and A. Fantini, Single- and multiple-event induced unpsets in HfO2/Hf 1T1R RRAM, IEEE Transactions on Nuclear Science, 2014, Vol. 61, No. 4  

    36.   Bi Jin-Shun, Zeng Chuan-Bin, Gao Lin-Chun, Liu Gang, Luo Jia-Jun, and Han Zheng-Sheng, Estimation of pulsed laser induced single event transient in a partially-depleted silicon-on-insulator 0.18 μm MOSFET, Chinese Physics B, 2014, Vol. 23, No. 8  

    37.   Haibin Wang, Sanghyeon Baeg, Shi-Jie Wen, Richard Wong, Rita Fung, Jinshun Bi, Single Event Resilient Dynamic Logic Designs, Journal of Electronic Testing: Theory and Applications, 2014Vol. 30, No. 6  

    38.   Jinshun Bi, Zhengsheng Han, En Xia Zhang, Mike McCurdy, R. A. Reed, R. D. Schrimpf, D. M. Fleetwood, Michael L. Alles, Robert A. Weller, Dimitri Linten, Malgorzata Jurczak, and Andrea Fantini, The Impact of X-Ray and Proton Irradiation on HfO2/Hf-based Bipolar Resistive Memories, IEEE Transactions on Nuclear Science, 2013, Vol. 60, No. 6  

    39.   Jordan D Greenlee, Joshua C. Shank, James L. Compagnoni, M. Brooks Tellekamp, Enxia Zhang, Jinshun Bi, Daniel M. Fleetwood, Michael L. Alles, Ronald D. Schrimpf, and W. Alan Doolittle, Radiation effects on LiNbO2 memristor for neuromorphic computing applications, IEEE Transactions on Nuclear Science, 2013, Vol. 60, No. 6  

    40.   毕津顺,刘刚,罗家俊,韩郑生,22nm工艺超薄体全耗尽绝缘体上硅晶体管单粒子瞬态效应研究,物理学报,2013Vol. 62, No. 20  

    41.   毕津顺,海潮和,韩郑生,深亚微米SOI射频 LDMOS功率特性研究,物理学报,2011Vol. 60, No.1  

    专利申请:

  • 已授权专利: 

      

    1.         专利名称:对FPGA配置数据进行升级的电路 

    申请号:CN201820498368.9 

    发明人:谢元禄,刘明,张坤,呼红阳,霍长兴,刘璟,毕津顺,王艳,卢年端 

    2.        专利名称:现场可编程门阵列多版本配置芯片、系统和方法 

    申请号 : CN201721249436.X 

    发明人:谢元禄,刘明,张坤,呼红阳,霍长兴,刘璟,毕津顺,王艳,卢年端  

    3.         专利名称:一种单粒子瞬态脉冲信号幅度测量电路 

    申请号 : CN201410209130.6 

    发明人:宿晓慧,罗家俊,郝乐,毕津顺,李欣欣,赵海涛 

    4.         专利名称:一种SOI MOS器件闪烁噪声的测试设备及测试方法 

    申请号 : CN201410031166.X 

    发明人:李书振,卜建辉,毕津顺,曾传滨,罗家俊,韩郑生  

    5.         专利名称:抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路  

    申请号 : CN201310439034.6 

    发明人:宿晓慧,毕津顺,罗家俊,韩郑生,郝乐  

    6.         专利名称:抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路  

    申请号 : CN201310438775.2 

    发明人:宿晓慧,毕津顺,罗家俊,韩郑生,郝乐  

    7.         专利名称:抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路  

    申请号 : CN201310438818.7 

    发明人:宿晓慧,毕津顺,罗家俊,韩郑生,郝乐  

    8.         专利名称:抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路  

    申请号 : CN201310438818.7 

    发明人:宿晓慧,毕津顺,罗家俊,韩郑生,郝乐  

    9.         专利名称:一种SOI_MOSFET的热阻提取方法  

    申请号 : CN201310339890.4 

    发明人:卜建辉,李莹,毕津顺,李书振,罗家俊,韩郑生  

    10.      专利名称:SOI H型栅MOS器件的建模方法 

    申请号 : CN201210536882.4 

    发明人:卜建辉,毕津顺,罗家俊,韩郑生 

    11.      专利名称:SOI MOS器件的建模方法  

    申请号 : CN201210248270.5 

    发明人:卜建辉,毕津顺,罗家俊,韩郑生 

    12.      专利名称:一种PN结结深测算方法 

    申请号 : CN201210212571.2 

    发明人:卜建辉,毕津顺,罗家俊,韩郑生 

    13.      专利名称:MOS器件的建模方法 

    申请号 : CN201210212516.3 

    发明人:卜建辉,毕津顺,罗家俊,韩郑生 

    14.      专利名称:SOI MOS晶体管 

    申请号 : CN201210155387.9 

    发明人:李莹, 毕津顺, 罗家俊,韩郑生  

    15.      专利名称:SOI MOS晶体管 

    申请号 : CN201210154443.7 

    发明人:李莹, 毕津顺, 罗家俊,韩郑生 

    16.      专利名称:Silicon on insulator (SOI) metal oxide semiconductor (MOS) transistor 

    申请号 : CN:201210155387:A 

    发明人:李莹, 毕津顺, 罗家俊,韩郑生 

    17.      专利名称:MOS器件的建模方法  

    申请号 : CN201210123082.X 

    发明人:卜建辉,毕津顺,梅博,罗家俊,韩郑生  

    18.      专利名称:单粒子瞬态脉冲宽度测量电路  

    申请号 : CN201210080931.8 

    发明人:宿晓慧,毕津顺,罗家俊  

    19.      专利名称:一种激光脉冲单粒子效应模拟系统  

    申请号 : CN201110459433.X 

    发明人:曾传滨,高林春,毕津顺,罗家俊,韩郑生  

    20.      专利名称:抗辐照加固的SOI结构及其制作方法  

    申请号 : CN201110418323.9 

    发明人:吕荫学,毕津顺,罗家俊,韩郑生,叶甜春  

    21.      专利名称:一种改进SOI结构抗辐照性能的方法  

    申请号 : CN201110418276.8 

    发明人:吕荫学,毕津顺,罗家俊,韩郑生,叶甜春 

    22.      专利名称:一种维持电压可调节的可控硅结构 

    申请号 : CN201110332265.8 

    发明人:曾传滨,毕津顺,李多力,罗家俊,韩郑生  

    23.      专利名称:静电放电保护用可控硅结构 

    申请号 : CN201120417128.X 

    发明人:曾传滨,毕津顺,李多力,罗家俊,韩郑生  

    24.      专利名称:单粒子脉冲宽度测量电路  

    申请号 : CN201110319780.2 

    发明人:宿晓慧,毕津顺  

    25.      专利名称:温控可充气真空辐射设备 

    申请号 : CN201110252532.0 

    发明人:曾传滨,毕津顺,刘刚,罗家俊,韩郑生  

    26.      专利名称:存储单元测试电路及其测试方法  

    申请号 : CN201110208077.4 

    发明人:王一奇,韩郑生,赵发展,刘梦新,毕津顺  

    27.      专利名称:一种绝缘体上硅二极管器件及其制造方法 

    申请号 : CN201110183539.1 

    发明人:毕津顺,海潮和,韩郑生,罗家俊  

    28.      专利名称:MOS器件版图批量化设计方法  

    申请号 : CN201110160075.2 

    发明人:李莹,毕津顺  

    29.      专利名称:单粒子瞬态脉冲宽度测量电路  

    申请号 : CN201110152231.0 

    发明人:宿晓慧,毕津顺  

    30.      专利名称:一种基于绝缘体上硅的射频LDMOS晶体管结构 

    申请号 : CN201110007880.1 

    发明人:刘梦新,毕津顺,刘刚,罗家俊,韩郑生  

    31.      专利名称:一种SOINMOS总剂量辐照建模方法  

    申请号 : CN201010251985.7 

    发明人:卜建辉,毕津顺,韩郑生  

    32.      专利名称:一种SOI体电阻建模方法  

    申请号 : CN201010217274.8 

    发明人:卜建辉,毕津顺,韩郑生  

    33.      专利名称:一种预测绝缘体上硅器件热载流子寿命的方法  

    申请号 : CN201010157559.7 

    发明人:卜建辉,毕津顺,习林茂,韩郑生  

    34.      专利名称:一种CMOS集成电路抗单粒子辐照加固电路 

    申请号 : CN200910244523.X 

    发明人:毕津顺,海潮和,韩郑生,罗家俊  

    35.      专利名称:一种CMOS集成电路抗辐照加固电路  

    申请号 : CN200910244519.3 

    发明人:毕津顺,海潮和,韩郑生,罗家俊  

    36.      专利名称:基于SOI的射频LDMOS器件及对其进行注入的方法  

    申请号 : CN200910236718.X 

    发明人:刘梦新,陈蕾,毕津顺,刘刚,韩郑生  

    37.      专利名称:晶体管测试装置及方法  

    申请号 : CN200910308495.3 

    发明人:毕津顺,海潮和,韩郑生,罗家俊  

    38.      专利名称:一种绝缘体上硅器件及其制备方法  

    申请号 : CN200910305117.X 

    发明人:毕津顺,海潮和,韩郑生,罗家俊  

    39.      专利名称:一种CMOS电路单粒子瞬态的建模方法  

    申请号 : CN200910089598.5 

    发明人:毕津顺,海潮和,韩郑生,罗家俊  

    40.      专利名称:一种制作部分耗尽SOI器件体接触结构的方法 

    申请号 : CN200810116043.0 

    发明人:宋文斌,毕津顺,韩郑生  

    41.      专利名称:具有H型栅的射频SOI LDMOS器件  

    申请号 : CN200810057936.2 

    发明人:刘梦新,毕津顺,范雪梅,赵超荣,韩郑生,刘刚  

    42.      专利名称:具有紧密体接触的射频SOI LDMOS器件  

    申请号 : CN200810057921.6 

    发明人:刘梦新,毕津顺,范雪梅,赵超荣,韩郑生,刘刚  

    43.      专利名称:一种制备低栅扩展电容绝缘体上硅体接触器件的方法  

    申请号 : CN200610112701.X 

    发明人:毕津顺,海潮和

    获奖及荣誉: