收藏本站  |  English  |  联系我们  |  中国科学院
  首页 所况介绍  
所况介绍
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
现在位置:首页 > 所况介绍 > 院士专家
   

 

王守武
    
  半导体器件物理学家。江苏苏州人。1941年毕业于同济大学。1946年获美国普渡大学硕士学位,1949年获博士学位。中国科学院半导体研究所研究员、微电子中心名誉主任。1958年筹建了我国第一个晶体管工厂。1963年起致力于砷化镓激光器的研究工作,创造了简易的光学定晶向的方法,促进了我国第一个砷化镓激光器的研制成功。1973年起,在领导研究砷化镓中高场畴的动力学以及PNPN负阻激光器的瞬态和光电特性的过程中,提出...
吴德馨
   
  吴德馨,女,1936年出生,河北乐亭县人。1961年毕业于清华大学无线电电子工程系。中国科学院微电子中心研究员。1991当选为中国科学院院士(学部委员)。
  20世纪60年代初,吴德馨作为主要负责人之一,在国内首先研究成功硅平面型高速开关晶体管,所提出的提高开关速度的方案被广泛采用,并向全国推广。60年代末期研究成功介质隔离数字集成电路和高阻抗运算放大器模拟电路。70年代末研究成功MOS4K位动态随机存储器...
共1页  1

 

\
    中国科学院微电子研究所版权所有 邮编:100029
单位地址:北京市朝阳区北土城西路3号,电子邮件:webadmin@ime.ac.cn
京公网安备110402500036号