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论文题目 英文论文题目 作者 刊物名称 年卷期页
Dummy fill effect on CMP planarity Dummy fill effect on CMP planarity 陈岚 半导体学报 2010 :
具有电容阵列和电感阵列的1.8~2.6GHz CMOS压控振荡器 A 1.8–2.6 GHz CMOS VCO with switched capacitor array and switched inductor array 王小松 半导体学报 2010 :
一种应用于多频接收机的宽带频率综合器 A wideband frequency synthesizer for a receiver application at multiple frequencies 王小松 半导体学报 2010 :
Spiral photon sieves apodized by digita lprolate spheroidal window for the generation of hard-x-ray vortex Spiral photon sieves apodized by digita lprolate spheroidal window for the generation of hard-x-ray vortex 谢常青 OPTICS LETTERS 2010 :
低功耗流水线模数转换器的研究与设计 陈岚 微电子学 2010 :
Feasibility study of hard-x-ray nanofocusing above 20keV using compound photon sieves Feasibility study of hard-x-ray nanofocusing above 20keV using compound photon sieves 谢常青 OPTICS LETTERS 2010 :
应用于非易失性存储器件的Cu/Cu:HfO2/Pt的双稳态电阻转变 Bistable Resistance Switching of Cu/Cu:HfO2/Pt for Nonvolatile Memory Application 刘明 2010 :
SOI DTMOS温度特性研究 Study on Temperature Characteristics of SOI DTMOS 毕津顺 半导体技术 2010 :
130nm PDSOI DTMOS体延迟研究 Study on Body Delay of 130nm PDSOI DTMOS 毕津顺 半导体技术 2010 :
RF LDMOS功率器件研制 Design and Fabrication of RF Power LDMOS 陈蕾 半导体技术 2010 :
自支撑透射光栅的设计、制作和测试 Design, fabrication and test of X-ray freestanding transmission gratings 谢常青 物理学报 2010 :
基于ZrO2电阻转变存储器的多值效应 Multilevel Storage Characteristics in ZrO2-ReRAM Brought about by Ideal Current Limiter 刘明 2010 :
抗辐照的电阻转变存储器 Highly Stable Radiation Hardened Resistive Switching Memory 刘明 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS 2010 31(12):1470-1472
CuAlO界面层对Al/CuxO/Cu存储器件转变特性的作用 The Role of CuAlO Interface Layer for Switching Behavior of Al/CuxO/Cu Memory Device 吕杭炳 Electron Device Letters 2010 31(12):1464-1466
插入GST界面薄层对阻变均一性的改善 Improvement of Resistive Switching Uniformity by Introducing a Thin GST Interface Layer 吕杭炳 Electron Device Letters 2010 31(9):978-980
采用覆盖金属纳米晶的下电极来控制固态电解液类型的阻变存储器中导电细丝的生长 Controllable Growth of Nanoscale Conductive Filaments in Solid-Electrolyte-Based ReRAM by Using a Metal Nanocrystal Covered Bottom Electrode 刘明 ACS NANO 2010 4(10):6162-6168
低功耗、高均匀性的基于Cu纳米晶插层的氧化锆基阻变存储器 Low-Power and Highly Uniform Switching in ZrO2-Based ReRAM With a Cu Nanocrystal Insertion Layer 刘明 IEEE Electron Device Letters 2010 31(11):1299-1231
一种低复杂度LDPC码提前结束迭代准则 A Low-complexity Early Stopping Criterion for LDPC Decoding 李春阳 微电子学与计算机 2010 :
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