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论文题目 英文论文题目 作者 刊物名称 年卷期页
一种改进的基于多段信号融合的频率估计算法 An improved frequency estimation algorithm by fusing multi-segment signals 数据采集与处理 2011 :
深亚微米SOI射频LDMOS功率特性研究 Study on power characteristics of deep sub-micron SOI RF LDMOS 物理学报 2011 :
应用于MBOC（6,1,1/11）信号的一种改进的跟踪算法 A Modified Tracking Algorithm for MBOC(6,1,1/11) Signals ION GNSS2011 2011 (1):2145
GNSS接收机热启和重捕中的快速定位方法 The Fast Position Method in Hot-start and Reacquisition of GNSS Receiver 卫星导航产业机遇与挑战 2011 :110
高性能低成本“航芯3号”GPS接收机基带芯片的设计 The Design for a High Performance and Low-cost NaviStarIII GPS Baseband Receiver 第二届中国卫星导航学术年会论文集 2011 :
一种有效的GNSS接收机载噪比估计方法 An Effective Carrier-to-noise Ratio Estimation Method for GNSS Receiver 武汉大学学报(信息科学版) 2011 36(4):457
基于整流特性的RRAM无源交叉阵列研究进展 Progress in rectifying-based RRAM passive crossbar array Science China Technological Sciences 2011 :
基于整流特性的RRAM无源交叉阵列研究进展 Progress in rectifying-based RRAM passive crossbar array 中国科学:技术科学 2011 :
光子晶体波导慢光的相位延迟法实验 Experiments with Phase-delay Method for Slow Light in Photonic Crystal Waveguide 第一届IEEE电子信息与控制工程国际学术会议 2011 :
基于MOCVVD外延材料的GaAs基MHEMT器件研制 Device research on GaAs-based InAlAsInGaAs metamorphic highelectron mobility transistors grown by metal organic chemical vapourdeposition Chinese Physics B 2011 :
High performance N- and P-type gate-all-around nanowire MOSFETs fabricated on bulk Si by COMS-compatible process High performance N- and P-type gate-all-around nanowire MOSFETs fabricated on bulk Si by COMS-compatible process IEEE 69th Device Research Conference (DRC) 2011 :
一种新型基于隧穿氧化层的隧穿晶体管 A Novel Tunnel Oxide Based Tunnel FET 中国国际半导体技术大会（CSTIC） 2011 :
氧化锆基阻变存储器特性及机理 The characteristics and mechanism of ZrO2-based-ReRAM 2011 :
掺杂技术:一种改善阻变存储器特性的有效方法 Doping technology: An effective way to improve the performances of resistive IEEE 2011 :
MOS器件栅介质层陷阱的表征方法 CHARACTERIZATIONS OF TRAP IN MOSFET DIELECTRIC STACKS 微电子学 2011 41(5):714
X波段AlGaN/GaN HEMT高微波功率特性研究 X-band AlGaN/GaN HEMTs with high microwave power performance 中国科学 物理学 力学 天文学 2011 54(3):442
Thermal stability and dopant segregation for Schottky diodes with ultrathin epitaxial NiSi2-y Thermal stability and dopant segregation for Schottky diodes with ultrathin epitaxial NiSi2-y IEEE Electron Device Letters 2011 :
一个具有动态零点补偿电路的快速瞬态响应的低压差线性稳压器 A Fast-Transient Low-Dropout Regulator with Dynamic Zero Compensation Network ISOCC 2011 2011 :
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