收藏本站  |  English  |  联系我们  |  中国科学院
  首页 所况介绍  
集成电路先导工艺研发中心
 
 
 
 
 
 

研究方向
 

  集成电路先导工艺研发中心现有两大主要研究方向,一方面是追随摩尔定律(More Moore)CMOS先导工艺技术研究,即研发晶体管不断缩小的单项和集成工艺关键技术;另一方面是超越摩尔定律(More Than Moore) 的各类硅基先进集成技术,包括5个研究领域,分别是硅基MEMS器件与集成技术研究、硅基光电集成技术、硅基生物芯片技术、硅基电力电子器件工艺技术和新型存储器关键技术研究研发中心的目标是发展成为硅基先导集成技术发展的引领者,成为服务于工业界的先导工艺公共研发平台和连结大学、研究机构和的桥梁。目前,研发中心已建成对全社会开放的、准工业化管理的,能对企业提供定制化产品技术研发服务的平台。 

 

 

 

 

    中国科学院微电子研究所版权所有 邮编:100029
单位地址:北京市朝阳区北土城西路3号,电子邮件:webadmin@ime.ac.cn
京公网安备110402500036号