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集成电路先导工艺研发中心
 
 
 
 
 
 

部门概况
 

  集成电路先导工艺研发中心(简称:先导中心)是依托国家02科技重大专项的支持,按照IC业界的设备配置,由国际化研发团队运作的国家级研发中心。先导中心致力于CMOS前沿工艺及其它硅基集成电路相关技术研究,是我国集成电路前沿研究领域的中坚力量,已做出了多项代表国家集成电路工艺研究水平的成果。 

    先导中心拥有净化面积约3000平米的8英寸和4英寸先导工艺研发平台。其中,8英寸研发线采用工业界标准的工艺设备,并在多个关键模块上拥有特色工艺能力。主要有可实现22纳米及以下技术代图形化的电子束光刻(E-beam)及刻蚀技术;可获得硅深孔的刻蚀(TSV)工艺;可对高K/金属栅材料进行原子级可控生长的原子层薄膜淀积(ALD)工艺;可增加沟道迁移率的外延纯锗、硅锗(SiGe)III-VMOCVD工艺;可获得超浅结的超低能离子注入和纳秒级的激光退火(laser anneal)工艺;可完成晶圆凸起图形的全局化学机械平坦化(CMP)工艺;以及晶圆级键合(wafer level bonding)工艺等。

 

 

 

 

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