硅器件与集成技术研究室是面向半导体硅基器件及集成电路研究，以超大规模集成电路设计技术和产品研制为主的研究室。目前致力于SOI集成电路、功率器件的设计、产品研制、测试及可靠性等技术研究。研究室一直秉承着“满足国家战略需求”的科研定位，承担着多项国家重大科技任务。尤其，在高可靠性的SOI集成电路器件研究方面具有雄厚的实力，处于国内领先地位，为国家微电子事业和重要应用领域做出了重大贡献。

　　研究室下设SOI集成电路、功率器件、显示驱动、测试及可靠性技术四个课题组。具有正副研究员、高工等高级职称9人（其中正研4人），中级初级职称科研工作人员35人。培养硕士、博士生80人，已毕业42人。在近3年中发表论文200余篇，申请专利65项。研究室拥有一个器件设计&仿真实验室，一个集成电路测试实验室，一个功率器件全参数测试实验室，和一个可靠性检测&失效分析实验室。

　　研究室前身是中国科学院半导体所的大规模集成电路技术研究室。在微电子所的不同阶段，曾使用过“第一研究室” 、“大规模集成电路技术研究室”、“深亚微米集成电路技术研究室”等名称。长期从事CMOS先导工艺技术研究，取得了多项代表国家IC工艺研究水平的成果。是国内最早研制出霍尔电路和VDMOS器件的单位。在国家“六五”科技攻关中，出色地完成了4KDRAM、16KDRAM和64KDRAM的研制；在国家“七五”科技攻关期间，完成了“定制、半定制集成电路设计与制造”，“1～1.5μm新工艺、新器件”结构的探索性研究等重大研制项目；在国家“八五”科技攻关中，自主开发成功了“0.8微米集成电路芯片制造技术”，并应用此技术研制成集成度为7000门的通用模糊控制器电路和双层金属布线的高速时钟驱动电路；在“九五”期间，开发了0.18和0.25微米CMOS集成电路关键工艺技术，并用以研制成功千门级实用电路、性能良好的0.1微米CMOS器件及环振电路、大规模SOI/CMOS实用电路。

　　在高性能功率器件方面，“八五”与“九五”期间承担多项科技攻关，形成系列功率VDMOS产品，量产芯片大量投放市场，获得一项“八五”攻关重大成果奖与多项院级科技进步奖。

　　2004年，高性能栅长27纳米CMOS器件及关键工艺技术研究获北京市科学技术一等奖。2005年，亚30纳米CMOS器件相关的若干关键工艺技术研究获国家技术发明二等奖。

　　硅器件与集成技术研究室具有光荣的历史传统和优良的科研作风，是一支敢于打硬仗、“啃硬骨头”的研究队伍。研究室拥有雄厚的科研经费、卓越的科研梯队、完善的硬件配套设施，创新的人才管理模式，正在室主任韩郑生研究员的带领下蓬勃向前发展。　　

SOI CMOS 10万门超大规模集成电路器件　　

　　大功率VDMOS器件