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渐变AlGaN沟道HEMT的线性功率
2021-05-25
美国HRL实验室和圣母大学（ University of Notre Dame ）声称，在30GHz时，镓极性氮化镓高电子迁移率晶体管（ HEMT ）的截止频率（ fT ）功率密度乘积为858GHzW / mm 。碳化硅（ SiC ）上的外延材料结构具有沟道结构，该沟道结构由GaN上方的渐变AlGaN层组成，该阻挡层具有25 ％的Al含量。为了降低接触电阻，制造的晶体管...
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物理所基于软模板的原子层组装技术实现多重纳米结构的精准调控加工
2021-05-25
利用各种纳米加工技术制备的纳米结构和器件在微纳光子学、微纳电子学、生物学及纳米能源等领域发挥了重要作用，但同时也对纳米加工的尺寸、形状、空间排列和组装等工艺控制提出了越来越高的要求。这种原子层组装纳米加工方法赋予了传统的曝光和组装技术以更强大的加工能力和潜能，在多重纳米结构的可控加工中展现出较好...
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化学所等在高稳定性聚合物FET研究中取得进展
2021-05-25
有机场效应晶体管（ OFET ）作为有机电子电路的基本构筑单元，已在柔性显示驱动、电子皮肤以及电子标签等领域展现出应用潜力。在国家自然科学基金委员会、科技部和中国科学院的支持下，中科院化学研究所有机固体实验室研究员郭云龙和中科院院士、研究员刘云圻与天津大学教授胡文平教授合作，基于优异的分子结构设计，利...
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物理所等证实磁性拓扑半金属EuB6
2021-05-24
2020年，中国科学院院士、中科院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心研究员方忠和物理所T03组博士生聂思敏（现为斯坦福大学博士后） 、特聘研究员王志俊、研究员翁红明、香港科技大学教授戴希等（ Phys . Rev . Lett . ？ 124 , 076403.物理所EX7组博士生高顺业和研究员钱天、研究员丁洪， EX10组博士后伊长江和研究...
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微电子所在全线性神经元SOT磁性存储器件研究中取得新进展
2021-05-21
近期，微电子所集成电路先导工艺研发中心罗军研究员课题组与中科院半导体所王开友研究员课题组合作研制出全线性的电流诱导多态自旋轨道耦合（ SOT ）磁性存储器件，并实现了低能耗、可编辑的突触功能，对基于SOT-MRAM的低功耗存算一体逻辑和神经形态计算提供了一种新方法。当前，存算一体和人工智能神经网络芯片领域亟需...
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过程工程所等开发出“一步机械化学法”制备钠电池正极材料
2021-05-20
储能技术是可再生能源发电并网和智能电网应用普及的核心技术，也是实现我国碳中和及碳达峰目标的关键技术之一，尤以电化学储能为突出形式。近日，中国科学院过程工程研究所和中科院物理研究所清洁能源团队合作，在钠电池正极材料的规模化制备研究中取得进展，开发出“一步机械化学法”快速制备钠电池聚阴离子正极材料氟...
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上海光机所提出同步调控ENZ材料饱和与反饱和吸收的原理及方法
2021-05-18
近期，中国科学院上海光学精密机械研究所薄膜光学实验室揭示了Epsilon-Near-Zero （ ENZ ）材料在超快激光作用下束缚电子和自由电子的竞争行为，提出了同步调控ENZ材料饱和吸收（ SA ）与反饱和吸收（ RSA ）的原理及方法，拓宽了其在ENZ波段的非线性光学响应调控能力。该研究中，研究人员探究了典型ENZ材料（氧化铟锡）...
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连续波UV-B激光二极管
2021-05-17
来自名城大学、三重大学，旭化成公司和名古屋大学的研究小组实现了13.3kA / cm2的电流密度阈值，迄今为止，这是以300nm波长发射的UV-B激光二极管（ LD ）的最低阈值电流密度，他们的工作重点是优化波导厚度和包层结构。谐振器长度为2000 μ m ， p电极宽度为10 μ m的激光二极管的激光阈值电流密度为14.2kA/cm2 ，而该小...
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富士通展示X波段AlGaN/GaN HEMT
2021-05-17
日本富士通宣布，该公司实现并首次演示了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（ HEMTs ）在X波段（ 8 - 12GHz ）的高功率射频（ RF ）操作。与在传统碳化硅（ SiC ）上生长的结构相比，使用AlN衬底可以使Al含量较高的AlGaN缓冲液与GaN二维薄电子通道（ 2DEG ）结合使用。AlN HEMT的最大漏极电流达到1A / mm以上，但SiC上的器件...
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深圳先进院研发出基于高电压电解液的双离子电池
2021-05-17
近日，中国科学院深圳先进技术研究院集成所功能薄膜材料研究中心研究员唐永炳及其研究团队，通过开发高电压浓缩电解液显著提升了双离子电池的循环性能与能量密度。相比于传统锂离子电池，双离子电池通常采用石墨作为正极并依靠阴离子插层实现储能，因此具有工作电压高、成本低、环保等优点，在规模化储能领域应用前景广...
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上海硅酸盐所在高性能无机塑性热电化合物研究中取得进展
2021-05-14
无机塑性热电材料可以打破传统无机脆性热电化合物和有机柔性热电化合物的禁锢，实现超常的室温变形能力和优良的热电性能，并在柔性电子、异形热源余废热回收发电等领域具有广阔的应用前景。近日，上海硅酸盐所研究员史迅、陈立东与副研究员仇鹏飞，以及上海交通大学副教授魏天然等合作，开发出n型Ag20S7Te3和p型( Ag0.2C...
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中国科大在微波谐振腔探测半导体量子芯片研究中获进展
2021-05-12
中国科学院院士、中国科学技术大学教授郭光灿团队在微波谐振腔探测半导体量子芯片研究中取得重要进展。该工作中，研究人员制备出铌钛氮微波谐振腔-半导体量子点复合器件，利用铌钛氮的高阻抗特性，大幅提高了微波谐振腔与量子比特的耦合强度，达到强耦合区间。论文链接？ ？图（ a ）半导体量子点-微波谐振腔复合器件的...
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上海硅酸盐所提出锂金属电池负极的非消耗型氟化流体界面调控策略
2021-05-12
为了满足下一代高比能电池的能量密度要求，具有高理论容量和低电化学电位的锂金属是未来可充电池（如Li-S和Li-FeF3 ）的理想负极。与通常分散在电解液并在循环过程中被消耗的添加剂不同，该油滴可作为液体聚合物界面改性剂，与锂负极和电解液接触均不具有反应性（非消耗性） ，从而可在不降级锂离子扩散率的条件下，持久...
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深圳先进院等发现新电池材料设计基因
2021-05-12
近日，中国科学院深圳先进技术研究院集成技术研究所功能薄膜材料研究中心研究员唐永炳团队联合泰国同步辐射光源研究所研究员Kidkhunthod等人，发现了具有三棱柱配体场的正极材料结构基因（ TMO6 ， TM为过渡金属原子) 。现有的晶体电池材料大部分含有TMO6基元，且为八面体构形，这限制了电池材料的合理设计。该研究中，...
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合肥研究院制备出系列导热与电磁屏蔽双功能复合材料
2021-05-10
近期，中国科学院合肥物质科学研究院固体物理研究所高分子与复合材料研究部研究员田兴友和研究员张献团队以低熔点合金为填料，在实现导热与电磁屏蔽双功能聚合物复合材料制备方面取得系列进展。更重要的是，低熔点合金填料能在聚合物基体中实现刚性粒子和可变形液滴两种存在状态之间的转换，从而赋予了低熔点合金复合材...
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福建物构所杂化铁电半导体研究取得进展
2021-05-10
铁电半导体的自发极化与光生载流子相互作用，孕育产生了具有重要应用前景的物理特性，成为发展新型光电器件的有力候选材料。在前期工作基础上，中国科学院福建物质结构研究所结构化学国家重点实验室“无机光电功能晶体材料”研究员罗军华团队提出了一种新颖的结构组装策略，通过引入柔性羧酸胺基元，利用氢键作用来消除/...
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物理所在高功率密度锂/氟化石墨一次电池研究中取得进展
2021-05-10
锂/氟化石墨一次电池是目前能量密度最高的一次电池，在电子产品、医疗器械等领域应用广泛。对放电后氟化石墨正极极片进行扫描电子显微镜和X射线衍射表征，发现氟化石墨在放电后发生颗粒破碎，而使用含BF3电解液的正极颗粒破碎程度更深，且代表未反应氟化石墨。基于以上发现，研究人员提出了BF3电解液添加剂的作用机理：...
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近锯齿型单一手性碳纳米管宏量分离研究取得进展
2021-05-10
单一手性碳纳米管的规模化制备是揭示碳纳米管新奇物理特性，发展其应用的前提和基础，被认为是碳纳米管研究领域的“圣杯” 。随着手性角的减小，碳纳米管光子发射能量逐渐红移，最终坍缩到单一的发射态，表明小手性角的锯齿型或近锯齿型碳纳米管在单光子发射器件方面可能具有较好的应用前景。目前，对于锯齿型和近锯齿型...
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用于Ga2O3热管理的金刚石
2021-05-10
美国的研究人员表示，多晶金刚石沉积工艺的发展，推动了β - Ga2O3电子器件的设备级热管理研究向前迈出重要的一步。研究人员发现，超声波种子不能用于后续的CVD工艺，因为种子沉积会产生裸露的Ga2O3斑块，而该部分会被CVD反应室中的氢等离子体分解，这会造成不连续的金刚石层。而且，由于通过降低金刚石和介电层之间的CT...
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IBM推出全球首个2纳米芯片制造技术
2021-05-10
在下一代制程竞争中， IBM宣布拔得头筹，成功推出世界上第一组2纳米芯片制程。IBM称介绍称，一个指甲大小的2纳米芯片就能容纳多达500亿个晶体管，每条晶体管的体积相等于两条DNA链。？ IBM以前也曾生产过芯片，但目前已把主要的芯片量产工作外包给三星电子，但有纽约州奥尔巴尼芯片制造研发中心用以试产，并与三星、英特...
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